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Tokeru
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応用情報技術者試験 平成30年度 春期 問10|Tokeru
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応用情報技術者試験
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平成30年度 春期
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問10
NAND型フラッシュメモリに関する記述として,適切なものはどれか。
ア
バイト単位で書込み,ページ単位で読出しを行う。
イ
バイト単位で書込み及び読出しを行う。
ウ
ページ単位で書込み,バイト単位で読出しを行う。
エ
ページ単位で書込み及び読出しを行う。
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