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Tokeru
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応用情報技術者試験 令和5年度 春期 問11|Tokeru
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応用情報技術者試験
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令和5年度 春期
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問11
フラッシュメモリにおけるウェアレベリングの説明として,適切なものはどれか。
ア
各ブロックの書込み回数がなるべく均等になるように,物理的な書込み位置を選択する。
イ
記憶するセルの電子の量に応じて,複数のビット情報を記録する。
ウ
不良のブロックを検出し,交換領域にある正常な別のブロックで置き換える。
エ
ブロック単位でデータを消去し,新しいデータを書き込む。
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